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J-GLOBAL ID：201302209704750960   整理番号：13A0854959

Mg二次電池のための高性能アノード材料の研究:Ge,SiおよびSnにおけるMgの計算機的研究

In search of high performance anode materials for Mg batteries: Computational studies of Mg in Ge, Si, and Sn

著者 (3件)： MALYI Oleksandr I. (Dep. of Mechanical Engineering, National Univ. of Singapore, Block EA #07-08, 9 Engineering Drive 1, Singapore ...) ,  TAN Teck L. (Inst. of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, #16-16 Connexis, Singapore 138632, SGP) ,  MANZHOS Sergei (Dep. of Mechanical Engineering, National Univ. of Singapore, Block EA #07-08, 9 Engineering Drive 1, Singapore ...)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 233  ページ： 341-345  発行年： 2013年07月01日 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg二次電池のための挿入型アノード材料としての可能性を評価するためにバルクSi,GeおよびSnダイヤモンド構造におけるMgの構造,エネルギーおよび拡散性のab initio研究を示す。SiがMg貯蔵のためにSiが最高の比静電容量(3817mAhg^-1)と最低の平均挿入電圧(Mgに対して~0.15eV)を与えることを示す。それにも関わらずその大きな百分率格子膨張(~216%)と遅いMg拡散のためにSnとGeはより魅力的である。両アノードはSiより小さな格子膨張(それぞれ~120%と~178%)と拡散障壁(単一Mg拡散のためにそれぞれ~0.50と~6.70eV)を有する。種々の段階の充填においてMg-Mg相互作用が0.55eVまで単一原子拡散に比べて大きな拡散障壁を減少できる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電極材料 ,  *二次電池 ,  ケイ素 ,  スズ ,  ゲルマニウム ,  静電容量 ,  拡散障壁 ,  原子拡散 ,  *アノード材料【電池】 ,  *マグネシウム二次電池
準シソーラス用語： *アノード材料 ,  *Mg二次電池

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (9件)： Mg二次電池 ,  高性能 ,  アノード材料 ,  研究 ,  Ge ,  Si ,  Sn ,  Mg ,  計算機