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J-GLOBAL ID：201302209929512996   整理番号：13A1300850

X線回折によるSiC(0001)上の不均一グラフェン厚さの決定

Determination of non-uniform graphene thickness on SiC (0001) by X-ray diffraction

著者 (5件)： RUAMMAITREE A. ,  NAKAHARA H. ,  AKIMOTO K. ,  SODA K. ,  SAITO Y.
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 282  ページ： 297-301  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si終端SiC(0001)表面に成長させたエピタキシャルグラフェンの厚さ分布をX線回折(XRD)パターン及び簡単な式を使用して分析した。その結果を低加速電圧走査電子顕微鏡及び角度分解光電子分光により確認した。その単純さにもかかわらず,提案したXRD分析によりグラフェン層の層間隔及び厚さ分布に関するかなり正確な情報が得られた。この方法は大規模基板上のグラフェン層数の速やかな見積もりに有用であると期待される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *X線回折 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *炭素材 ,  *エピタクシー ,  *膜厚 ,  *層間隔 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  熱分解 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 角度分解光電子分光法

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線回折 ,  SiC ,  不均一 ,  グラフェン ,  厚さ