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J-GLOBAL ID：201302210046866486   整理番号：13A0580825

低電力不揮発性スピントロニックメモリ: STT-RAM及びそれを越えて

Low-power non-volatile spintronic memory: STT-RAM and beyond

著者 (3件)： WANG K L (Univ. California, CA, USA) ,  ALZATE J G (Univ. California, CA, USA) ,  AMIRI P Khalili (Univ. California, CA, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 7  ページ： 074003,1-10  発行年： 2013年02月20日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力の汎用メモリは新しいパラダイムの不揮発性計算を可能にする。本論文では,様々な構造のスピン移動トルク(STT)メモリを示し,重要な性能パラメータを最適化する方法を説明した。STT-RAMのエネルギーとスケーリングの限界を論じ,超低消費電力の実現に必要な代替書込機構を示した。純スピン電流を用いて磁気トンネル接合に磁化反転を誘起する代替法として巨大スピンHall効果の利用を論じた。超低電力不揮発性メモリの有望な候補として,電界制御型磁気電気RAMの可能性を実験データを考慮して論じた。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  スピントロニクス ,  *RAM【メモリ】 ,  *消費電力 ,  トンネル接合 ,  磁気電気効果 ,  スイッチング ,  Kerr効果 ,  Hall効果
準シソーラス用語： Kerr回転 ,  スピンHall効果 ,  巨大スピンHall効果 ,  磁気トンネル接合 ,  *超低消費電力

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  不揮発性 ,  RAM