エッジ内及びエッジ間散乱による絶縁グラフェンエッジ上の拡散

TKACHOV G.; HENTSCHEL Martina

文献

J-GLOBAL ID：201302210230433193 整理番号：13A0141540

エッジ内及びエッジ間散乱による絶縁グラフェンエッジ上の拡散

Diffusion on edges of insulating graphene with intravalley and intervalley scattering

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資料名：
巻： 86 号： 20 ページ： 205414.1-205414.7 発行年： 2012年11月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体型のバンドギャップの制御は,グラフェン中の電流を思うままにオンーオフスイッチできるルートを開く一つの有望な方法として期待される。バンドギャップを開くことは,材料の2Dバルクにおける輸送の有望な方法となるが,サンプル境界近傍の電子伝導を制御するには,一般的に不十分である。エッジ輸送は,通常のポテンシャル無秩序,例えば,遠隔のイオン化不純物からの滑らかなポテンシャルゆらぎにより消滅させることができない。原子論的に鋭い欠陥だけが,エッジ間散乱を通してエッジ輸送を抑制する。バルクバンドギャップがあっても,グラフェンが,局所化長より短い場合,サンプルエッジに沿って金属コンダクタンスを持つことができることを,ジグザグタイプの境界をもつ単一層グラフェンについて論証する。

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電子輸送の一般理論 , その他の無機化合物の電気伝導

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