文献

J-GLOBAL ID：201302210434669390   整理番号：13A0236488

LiFドープCaMg_1-xZn_xSi₂O₆セラミックの低温焼結とマイクロ波誘電特性

Low-temperature sintering and microwave dielectric properties of LiF-doped CaMg_1-x Zn _x Si₂O₆ ceramics

著者 (3件)： ZHANG Jie (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  ZHOU Yuanyuan (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  YUE Zhenxing (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 39  号： 2  ページ： 2051-2058  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディオプサイドセラミックCaMg_1-xZn_xSi₂O₆(x=0~0.3)を,固相反応法により合成した。Mg²⁺へのZn²⁺置換は緻密化温度を著しく低下させ,CaMgSi₂O₆セラミックのマイクロ波誘電特性を改善した。x=0.1のCaMg_0.9Zn_0.1Si₂O₆セラミックは1200°Cで焼結が可能であり,ε_r=7.88,Qf=76100GHz及びτ_f=-22.5ppm/°Cの良好なマイクロ波誘電特性を示す。LiFの添加は,明らかに誘電特性を劣化させることなく~900°Cまで焼結温度を低下させるのに有効であることを立証した。0.6wt%LiFをドープしたCaMg_0.9Zn_0.1Si₂O₆セラミックは900~975°Cの温度範囲で焼結でき,ε_r~7.7,Qf~70000GHz及びτ_f~-25ppm/°Cの優れた誘電特性を有する。低温焼結と良好な誘電特性を持つこれらのLiFドープディオプサイドセラミックは,LTCC集積応用の有望な材料である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： フッ化リチウム ,  ドーピング ,  *ケイ酸塩 ,  *カルシウム化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *焼結 ,  *誘電性 ,  機能性セラミック ,  化学合成 ,  緻密化 ,  加熱温度 ,  固相反応
準シソーラス用語： LTCC【セラミック】 ,  マイクロ波誘電特性

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： LIF ,  ドープ ,  セラミック ,  低温焼結 ,  マイクロ波誘電特性