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J-GLOBAL ID：201302210670787841   整理番号：13A1285196

金属酸化物太陽電池におけるヘテロ接合界面品質を高めるための超薄アモルファス亜鉛スズ酸化物バッファ層

Ultrathin amorphous zinc-tin-oxide buffer layer for enhancing heterojunction interface quality in metal-oxide solar cells

著者 (9件)： LEE Yun Seog (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  HEO Jaeyeong (Harvard Univ., MA, USA) ,  HEO Jaeyeong (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  SIAH Sin Cheng (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  MAILOA Jonathan P. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  BRANDT Riley E. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  KIM Sang Bok (Harvard Univ., MA, USA) ,  GORDON Roy G. (Harvard Univ., MA, USA) ,  BUONASSISI Tonio (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 6  号： 7  ページ： 2112-2118  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu₂O吸収体とAl添加ZnO(AZO)透明導電性酸化物(TCO)間の界面での再結合を抑制するために,電子ブロッキング層として超薄アモルファス亜鉛スズ酸化物(a-ZTO)フィルムを導入した。アモルファス金属酸化物は,高い光透過性と共に優れた電子輸送特性により透明エレクトロニクスにおいて最近光が当たっている半導体の新しいクラスである。特に,ZTOは非毒性で拡張性のある材料(高元素存在度)で,良好な熱安定性と共に13cm²V^-1s^-1に及ぶ電界効果移動度を示す。最近,ZTOは,CdSバッファ層をもつデバイスに匹敵する性能を示す,CIGS太陽電池のためのCdが含まれていないバッファ層としての可能性を示した。

シソーラス用語： 金属酸化物 ,  太陽電池 ,  *ヘテロ接合 ,  *非晶質 ,  *亜鉛 ,  *バッファ層 ,  超薄膜 ,  ブロッキング ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  エレクトロトランスポート ,  キャリア移動度 ,  *酸化スズ ,  再結合 ,  界面 ,  接合部 ,  CIGS太陽電池 ,  接合界面 ,  電界効果移動度 ,  電子輸送 ,  透明導電性酸化物
準シソーラス用語： TCO【酸化物】 ,  *アモルファス ,  *スズ酸化物

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属酸化物 ,  太陽電池 ,  ヘテロ接合界面 ,  アモルファス ,  亜鉛 ,  スズ酸化物 ,  バッファ層