ゲート制御二層グラフェンの準粒子エネルギーと光学励起

LIANG Yufeng; YANG Li

文献

J-GLOBAL ID：201302210928683540 整理番号：13A0141549

ゲート制御二層グラフェンの準粒子エネルギーと光学励起

Quasiparticle energy and optical excitations of gated bilayer graphene

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資料名：
巻： 86 号： 20 ページ： 205423.1-205423.5 発行年： 2012年11月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

第一原理GW-Bethe-Salpeter方程式シミュレーションを使用してゲート制御二層グラフェンの正確な準粒子(QP)にバンド・ギャップと光学吸収スペクトルを得た。強化した電子-電子相互作用は,劇的にQPバンド・ギャップを大きくし,赤外線光学吸収スペクトルは,明るい束縛励起子が支配した。特に,これらの励起状態のエネルギーは,以前の予測よりかなり幅の広い範囲でゲート・フィールドで調整できる。この結果は,はっきり最近の実験を説明しそして,実験的に計った輸送と光学バンド・ギャップの間の矛盾を満足に解決した。さらに,最も深い束縛励起子は定性的にhydrogenicモデルと異なる暗黒励起子でありそして,その電子と正孔は,それぞれ対立するグラフェン層上に凝縮すると予測した。この独特な暗黒励起子は励起子動力学に影響するだけでなくまた,多体物理のもつれ交換効果を研究する良い機会を提供する。

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炭素とその化合物

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