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J-GLOBAL ID：201302211528086476   整理番号：13A0358656

In_0.53Ga_0.47As結晶性半導体中にErAsナノ粒子を埋め込むことによる熱電特性のチューニング

Tuning of thermoelectric properties by embedding ErAs nanoparticles in In_0.53Ga_0.47As crystalline semiconductors

著者 (1件)： CHOUDHARY K. K. (Shri Vaishnav Inst. of Technol. and Sci., Dep. of Physics, Baroli, Sanwer Road, 453331, Indore, IND)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 15  号： 1  ページ： 1-11  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは熱電材料をナノ構造化することにより向上させた熱電性能指数ZT(=S²σT/κ)を理論的に解析している。ZTの増加の鍵となる論拠はIn_0.53Ga_0.47As結晶性半導体中にErAsナノ粒子を埋め込むことによる熱伝導度の減少および熱電能の増加である。平均直径d=2.4nmのErAsナノ粒子はInGaAs合金中にErAsナノ粒子の濃度が0.3%でランダムに分布している。著者らはErAsナノ粒子はフォノンに対して付加的な散乱を与え,結晶中にナノ粒子を挿入することにより点欠陥および結晶粒界によるフォノン散乱がより効果的になり,このことは熱伝導度を最大で半分に減少させ,熱電能を純粋な結晶の最大2倍に増加させることを見出した。本解析からの熱電特性の数値解析は熱電応用のためのより良い熱電材料を設計するための助けとなるであろう。Copyright 2012 Springer Science+Business Media Dordrecht Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム合金 ,  ガリウム含有合金 ,  ヒ素含有合金 ,  *熱電材料 ,  散乱 ,  *熱伝導 ,  *熱起電力 ,  *エルビウム化合物 ,  ヒ素化合物 ,  解析
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  熱電能 ,  理論解析

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  金属の比熱・熱伝導  (BL05022V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶性 ,  ERAS ,  ナノ粒子 ,  熱電特性 ,  チューニング