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J-GLOBAL ID：201302211577184912   整理番号：13A1623331

能動負荷変調技術を用いた単一チップマルチバンド電力増幅器

A Single Chip Multiband Power Amplifier using Active Load Modulation Techniques

著者 (3件)： LEE Geunyong (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Jongsoo (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  SONG Jong-In (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 184-186  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 能動負荷変調(ALM)技術を用いた単一チップマルチバンド電力増幅器(MBPA)を報告した。ドハティ電力増幅器(PA)の概念に基づき,単一チップMBPAは主増幅器,補助増幅器,伝送回線から構成される。伝送回線は主増幅器,補助増幅器を接続し,周波数上で主増幅器の負荷回線を変調する。能動負荷変調(ALM)技術により,ドハティPAとしての負荷回線を制御する。ALM-MBPAは二つの異なる大きさの電力増幅器を周波数依存伝送回線と結合する。周波数上のMBPAの負荷回線を変調,保持するため,ALM-PA内の伝送回線は1/4波長に固定せず,特性インピーダンスと希望する帯域の電気的長さで最適化した。InGaP/GaAs HBTプロセスを用いることにより,商業用周波数帯域全体で同一の性能を保持する全2ステージ単一チップMBPAが実現できた。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *伝送線路 ,  特性インピーダンス ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  ヒ化ガリウム ,  HBT【トランジスタ】
準シソーラス用語： *Doherty増幅器 ,  GaAs ,  InGaP ,  *マルチバンド ,  伝送回線

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 負荷変調 ,  マルチバンド ,  電力増幅器