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J-GLOBAL ID:201302211798594007   整理番号:13A1487717

低いあるいは高いLET照射に曝露したヒト線維芽細胞における潜在性致死損傷修復とDNA損傷のギャップ結合を介するコミュニケーションの関与

Participation of gap junction communication in potentially lethal damage repair and DNA damage in human fibroblasts exposed to low- or high-LET radiation
著者 (8件):
資料名:
巻: 756  号: 1-2  ページ: 78-85  発行年: 2013年08月30日 
JST資料番号: W2380A  ISSN: 1383-5718  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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これまでの研究は,種々の電離放射線(IR)のタイプがいかに細胞集団あるいは組織の応答を調節するかについて完全には説明していない。著者等の以前の研究で,ギャップ結合を介した細胞間コミュニケーション(GJIC)が高い線エネルギー付与(LET)照射に曝された照射細胞間のストレス性効果の増大を媒介し,そこではほぼ全ての細胞がIRトラックによって横断されることを示した。本研究で,低いまたは高いLET IRに曝される細胞での潜在性致死損傷修復(PLDR)の調節と微小核形成におけるGJICの役割を詳細に研究した。集密的なヒト線維芽細胞を,ギャップ結合阻害剤の存在/非存在下で同一生存レベルを結果とする200kVX線(LET~1.7keV/μm),炭素イオン(LET~76keV/μm),ケイ素イオン(LET~113keV/μm)または鉄イオン(LET~400keV/μm)に曝露した。線維芽細胞を37°Cで様々な時間でインキュベーションした。予想通りに,高いLET IRは照射直後の細胞死滅とDNA損傷に関して低いLET X線より有効であった。しかしながら,細胞を数時間集密状態で保持した場合,PLDRはDNA損傷の低下と関連して,X線に曝された細胞でのみ生じた。面白いことに,GJIC阻害は毒性効果の増大を除去し,低いLET IRへの曝露ではなく高いLET IRに曝露された細胞の生存上昇と小核形成レベルの低下をもたらした。実験は,低いLET照射後のGJICがPLDRとDNA損傷に最小効果しか持たないが,ギャップ結合コミュニケーションは高いLET IRの照射を受けた細胞間のストレス性効果増大に重要な役割を果すことを示す。総合すると,我々の結果はPLDRとDNA損傷の誘導が明確にギャップ結合コミュニケーションと放射線質に依存することを示す。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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細胞レベルに対する影響  ,  分子遺伝学一般 

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