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J-GLOBAL ID：201302212147939762   整理番号：13A1149098

半導体材料のヘテロ集積:基本事項,現在の進歩および今後の課題

Heterogeneous Integration of Semiconductor Materials: Basic Issues, Current Progress, and Future Challenges.

著者 (1件)： WOODALL Jerry M. (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8373  ページ： 83731B.1-83731B.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,半導体材料のヘテロ集積(HI;新しいチップ機能性または増強したフォトニックおよび電子素子を実現するために,二つ以上の化学的に異なる半導体を互いに接合すること)に関する素材科学諸課題の概要紹介である。次のHIの多次元的課題を考察した。1)HI方法論(CVD等),2)界面の構造,完全性,化学および電子特性(界面結晶性の重要性等),3)界面化学,急激性および機能性(HI方法論に関わらず界面化学と急激性が重要であること等),4)離散機能対集積機能(格子整合基板の入手性とコストという課題)。ヘテロ界面におけるエピタクシー問題,ヘテロ原子価対ホモ原子価エピ成長および転位動力学を示した。さらに,成功事例を挙げた。

シソーラス用語： 欠陥 ,  *集積 ,  界面 ,  ケイ素 ,  リン化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  材料科学 ,  集積回路 ,  *化合物半導体 ,  *半導体材料 ,  エピタクシー ,  化学蒸着 ,  物理蒸着 ,  表面構造 ,  電子構造 ,  界面化学 ,  発光ダイオード ,  HBT【トランジスタ】 ,  HEMT
準シソーラス用語： *III-V族化合物半導体

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体材料 ,  集積