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J-GLOBAL ID：201302212177507204   整理番号：13A0048142

Cr上で形成される水酸化酸化物膜中でのイオン空孔のマイグレーション:密度汎関数理論研究

Migration of Ion Vacancy in Hydroxylated Oxide Film Formed on Cr: A Density Functional Theory Investigation

著者 (5件)： YU Haobo (China Univ. Petroleum (Beijing), Beijing, CHN) ,  CHEN Changfeng (China Univ. Petroleum (Beijing), Beijing, CHN) ,  JIANG Ruijing (China Univ. Petroleum (Beijing), Beijing, CHN) ,  QIU Ping (China Univ. Petroleum (Beijing), Beijing, CHN) ,  LI Yujing (China Univ. Petroleum (Beijing), Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 48  ページ： 25478-25485  発行年： 2012年12月06日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づいて,Cr表面上で形成される水酸化酸化物膜中でのイオン空孔マイグレーション特性の理論的研究をおこなった。内部-Cr₂O₃および外部-Cr(OH)₃層ならびにCr/Cr₂O₃,Cr₂O₃/Cr(OH)₃,およびCr(OH)₃/溶液界面からなる,Cr上で形成される不動膜の二重層構造モデルを提案した。DFTを用いることによって,Cr₂O₃/Cr(OH)₃不動膜中でのイオン空孔のマイグレーションを調べ,原子スケールで不動膜成長のより基本的な理解が得られた。Cr₂O₃/Cr(OH)₃不動膜中での対応するイオン空孔の拡散係数を計算することによって提案したイオンマイグレーションモデルに基づいて,不動膜の成長および破壊への温度および印加電界の影響を明らかにした。温度および陽極分極などの因子が,不動膜の成長を加速させるだけでなく,その空孔濃度を増大させ緻密な密度の低下を生じることがわかった。

シソーラス用語： *クロム化合物 ,  *遷移金属触媒 ,  *密度汎関数法 ,  酸化膜 ,  *空格子点 ,  不動態皮膜 ,  酸化クロム ,  薄膜成長 ,  *水酸化物 ,  *酸化物 ,  マイグレーション【化学物質】
準シソーラス用語： *クロム触媒

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cr ,  水酸化 ,  酸化物膜 ,  イオン ,  空孔 ,  マイグレーション ,  密度汎関数理論 ,  研究