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J-GLOBAL ID：201302212328885125   整理番号：13A1189072

半導体表面上に生成した低次元電子系の物理特性とその制御

Physical properties of low-dimensional electron systems created on semiconductor surfaces and their control

著者 (1件)： INAOKA Takeshi (Univ. Ryukyus, Okinawa)
資料名： Activity Report. Materials Design and Characterization Laboratory Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, University of Tokyo  (Activity Report. Materials Design and Characterization Laboratory Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, University of Tokyo)
巻： 2012  ページ： 205-206  発行年： 2012年 
JST資料番号： J1494A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 低次元系 ,  *ヒ化インジウム ,  N型半導体 ,  局所密度汎関数法 ,  *蓄積層 ,  バンド構造 ,  吸着 ,  カリウム ,  セシウム ,  *電子系 ,  反転層 ,  *ケイ素 ,  P型半導体 ,  効果 ,  *価電子バンド ,  有効質量
準シソーラス用語： *サブバンド ,  歪効果

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体表面 ,  低次元電子系 ,  物理特性