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J-GLOBAL ID：201302212350191595   整理番号：13A1091999

アンチモン化合物ナノワイヤの合成と性質

Synthesis and properties of antimonide nanowires

著者 (2件)： BORG B Mattias (IBM Res. Zurich, Rueschlikon, CHE) ,  WERNERSSON Lars-Erik (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 20  ページ： 202001,1-18  発行年： 2013年05月24日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモン化合物ナノワイヤの合成と性質に関する最近の研究を,1)序論,2)アンチモン化合物のエピタキシャル層の合成(前駆体と蒸気圧,Sbの構造効果,秩序化,メモリー効果),3)二成分系アンチモン化合物ナノワイヤ(基板,粒子の選択,成長方向,エピタキシャル核生成,ナノワイヤの形態,粒子組成とその効果,ヘテロ構造),4)三成分系アンチモン化合物ナノワイヤ(結晶構造へのSbの影響,秩序化),5)アンチモン化合物ナノワイヤの物理的性質(電気的性質,バンドギャップとバンド配列,デバイスの構造)および6)展望に分けて解説した。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ナノワイヤ ,  記憶効果 ,  規則化 ,  二成分系 ,  三成分系 ,  物理的性質 ,  前駆体 ,  蒸気圧 ,  基板 ,  核形成 ,  結晶形態 ,  依存性 ,  素子構造 ,  結晶構造 ,  電気的性質 ,  バンドギャップ ,  *半導体 ,  半導体素子 ,  文献展望 ,  エピタキシャル層 ,  ヘテロ構造 ,  組成依存性

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： アンチモン化合物 ,  ナノワイヤ ,  性質