文献

J-GLOBAL ID：201302212789267440   整理番号：13A0033486

SOI基板上に成長させたSiC薄膜のグラフェン化に関する研究

著者 (6件)： 枝元太希 (九州工大 大学院) ,  内田健太郎 (九州工大 大学院) ,  岡崎資睦 (東芝) ,  内藤正路 (九州工大 大学院) ,  中尾基 (九州工大 大学院) ,  碇智徳 (宇部工高専)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
巻： 38  ページ： 155  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： L1487A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： SOI構造 ,  *炭化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  *炭素材 ,  電子顕微鏡観察 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI基板 ,  成長 ,  SiC ,  薄膜 ,  グラフェン ,  研究