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J-GLOBAL ID：201302212859629042   整理番号：13A0055537

p型基板上で形成された多孔性シリコンの表層の電子エネルギー構造の特性

Peculiarities of electron-energy structure of surface layers of porous silicon formed on p-type substrates

著者 (7件)： DOMASHEVSKAYA E. P. (Voronezh State Univ., Universitetskaya pl. 1, 394893, Voronezh, RUS) ,  TEREKHOV V. A. (Voronezh State Univ., Universitetskaya pl. 1, 394893, Voronezh, RUS) ,  TURISHCHEV S. Yu. (Voronezh State Univ., Universitetskaya pl. 1, 394893, Voronezh, RUS) ,  KHOVIV D. A. (Voronezh State Univ., Universitetskaya pl. 1, 394893, Voronezh, RUS) ,  PARINOVA E. V. (Voronezh State Univ., Universitetskaya pl. 1, 394893, Voronezh, RUS) ,  SKRYSHEVSKII V. A. (Shevchenko National Univ., pr. Glushkova 2, 03680, Kyiv, UKR) ,  GAVRIL’CHENKO I. V. (Shevchenko National Univ., pr. Glushkova 2, 03680, Kyiv, UKR)
資料名： Inorganic Materials  (Inorganic Materials)
巻： 48  号： 14  ページ： 1291-1297  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： A1063A  ISSN： 0020-1685  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多孔性シリコン ,  表層 ,  電子エネルギー