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J-GLOBAL ID：201302213126811436   整理番号：13A0134441

メムリスタを用いた不揮発性多値メモリシステムの構成

著者 (3件)： 大槻正伸 (福島工高専) ,  一ノ瀬智浩 (東北大 工) ,  西内拓也 (明治大 工)
資料名： 福島工業高等専門学校研究紀要  (Research Reports. National Institute of Technology, Fukushima College)
号： 53  ページ： 1-6  発行年： 2012年12月27日 
JST資料番号： S0713A  ISSN： 0916-6041  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： メムリスタ(memristor)とは,電流を流すことによりその抵抗値が変化し,電流を流すのをやめると,やめた時点での抵抗値を記憶するという性質を持つ電気回路素子である。メムリスタは,R,L,Cに続く第4の電気回路の基本素子とも言われる。これまでにメムリスタを用いた3値不揮発性メモリ構成の基本的な考察が発表されている。本論文では,通常のディジタルシステムに組込みが可能な,多値のメモリシステムの構成法を提案した。

シソーラス用語： *回路部品 ,  *不揮発性メモリ ,  数学モデル
準シソーラス用語： *メモリスタ

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： メムリスタ ,  不揮発性 ,  多値 ,  メモリシステム