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J-GLOBAL ID：201302213492161738   整理番号：13A0811106

低温クラスター炭素インプラントおよびレーザーアニーリングを用いた歪んだSi:C

Strained Si:C using low temperature clustercarbon implants and laser annealing

著者 (12件)： SEKAR Karuppanan (Nissin Ion Equipment USA Inc, MA, USA) ,  TOKORO Nobuhiro (Nissin Ion Equipment USA Inc, MA, USA) ,  ONODA Hiroshi (Nissin Ion Equipment Co. Ltd, Kyoto, JPN) ,  NAKASHIMA Yoshiki (Nissin Ion Equipment Co. Ltd, Kyoto, JPN) ,  KOGA Yuji (Nissin Ion Equipment Co. Ltd, Kyoto, JPN) ,  HAMAMOTO Nariaki (Nissin Ion Equipment Co. Ltd, Kyoto, JPN) ,  NAGAYAMA Tsutomu (Nissin Ion Equipment Co. Ltd, Kyoto, JPN) ,  HERMAN Joshua (Univ. at Albany, NY, USA) ,  NOVAK Steve (Univ. at Albany, NY, USA) ,  RODGERS Martin (Univ. at Albany, NY, USA) ,  FRANCA Daniel (Univ. at Albany, NY, USA) ,  VIVEKANAND Saikumar (Univ. at Albany, NY, USA)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1496  ページ： 99-102  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  クラスター ,  炭素 ,  インプラント ,  レーザーアニーリング ,  Si