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J-GLOBAL ID：201302213672293390   整理番号：13A1859686

融合サルフェン錯体中のコバルト(III)核性の導電性と薄膜トランジスタ活性に及ぼす顕著な効果

Striking effects of cobalt (III) nuclearity in fused salphen complexes on their electroconductivity and thin film transistor activity

著者 (9件)： HOUJOU Hirohiko (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  KAMURA Masakazu (Materials & Energy Technol. Laboratories, Sharp Corp., 273-1 Kashiwa, Kashiwa-shi, Chiba 277-0005, JPN) ,  KAMURA Masakazu (Inst. for Nano Quantum Information Electronics (NanoQuine), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo ...) ,  NAGANO Yuta (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  ITO Muneyuki (Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN) ,  AOMORI Shigeru (Materials & Energy Technol. Laboratories, Sharp Corp., 273-1 Kashiwa, Kashiwa-shi, Chiba 277-0005, JPN) ,  AOMORI Shigeru (Inst. for Nano Quantum Information Electronics (NanoQuine), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo ...) ,  OH-E Masahito (Materials & Energy Technol. Laboratories, Sharp Corp., 273-1 Kashiwa, Kashiwa-shi, Chiba 277-0005, JPN) ,  OH-E Masahito (Inst. for Nano Quantum Information Electronics (NanoQuine), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 14  号： 12  ページ： 3472-3476  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子の長軸に沿って同じベンゼン環数を有する融合サルフェン配位子を用いて,二核及び三核のコバルト(III)錯体を合成した。この二つの化合物は,電子伝導性及びトランジスタ特性を調べるために,それぞれガラス上またはSiO₂/n-Si基板上に形成された有機薄膜として用いた。二核及び三核錯体の導電率は,8.5×10^-5と5.8×10^-3S cm^-1で,これは,二核から三核への増分で70倍に増加することを意味する。三核錯体の薄膜は微弱なトランジスター活性を示し,ここでこの薄膜はn型半導体薄膜として作用する。これとは対照的に,二核錯体は,ゲート電圧に対して検出可能な応答を与えなかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *コバルト錯体 ,  二核錯体 ,  *多核錯体 ,  電気伝導 ,  トランジスタ ,  有機材料 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 三核錯体 ,  電子伝導 ,  有機薄膜 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (4件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： N,N′-ビス[2,6-ジヒドロキシ-5-[2-(2-ヒドロキシベンジリデンアミノ)-4,5-ビス(ドデシルオキシ)フェニルイミノメチル]-1-ナフチルメチレン]-4,5-ビス(ドデシルオキシ)ベンゼン-1,2-ジアミン

タイトルに関連する用語 (8件)： 融合 ,  サルフェン ,  錯体 ,  コバルト ,  核 ,  導電性 ,  薄膜トランジスタ ,  活性