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J-GLOBAL ID：201302213724044520   整理番号：13A1222900

SiC酸化メカニズム解明への試み-Si酸化との共通点/異なる点-

An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism-Common/different point to Si oxidation-

著者 (3件)： 土方泰斗 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  八木修平 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 87(SDM2013 44-64)  ページ： 91-96  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには,SiC酸化メカニズムのより一層の理解が不可欠である。本稿では,SiCの酸化メカニズムに対し,何がどこまでわかったかを総括し,Si酸化との共通点と相違点を織り交ぜながら近年の研究事例や課題を紹介していく。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  *熱酸化 ,  界面
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  パワーMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  酸化 ,  メカニズム ,  試み ,  Si