文献

J-GLOBAL ID：201302213817096822   整理番号：13A0758188

InPを用いたフォトニック結晶上に集積化が可能な全光学ランダムアクセスメモリ

Integrable all-optical random-access memories on InP-based photonic crystal platform

著者 (9件)： NOZAKI K. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINYA A. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  MATSUO S. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SATO T. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEDA K. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  CHEN C-H. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SUZAKI Y. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SEGAWA T. (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NOTOMI M. (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 406-407  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトニック結晶からなるナノ共振器を用いた全光学ランダムアクセスメモリをオンチップ集積することに成功した。このInPを用いた集積メモリ素子は,超省電力,省資源で40Gb/sの高速な光学信号転送速度を達成した。このメモリは,将来的な光パケット信号処理に役立つものである。

シソーラス用語： リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *結晶 ,  RAM【メモリ】 ,  *光学メモリ ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  フォトニック結晶 ,  集積化 ,  光学 ,  ランダムアクセスメモリ