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J-GLOBAL ID：201302213976452222   整理番号：13A0474877

抵抗加熱されたPt/n-GaPから成るSchottkyナノ構造における水素酸化によって誘起されるホットエレクトロン電流成分の分離

Separation of hot electron current component induced by hydrogen oxidation on resistively heated Pt/n-GaP Schottky nanostructures

著者 (3件)： HASHEMIAN Mohammad A. (Dep. of Civil and Materials Engineering, Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607) ,  DASARI Suhas K. (Dep. of Civil and Materials Engineering, Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607) ,  KARPOV Eduard G. (Dep. of Civil and Materials Engineering, Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 31  号： 2  ページ： 020603-020603-5  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平坦なナノ構造におけるSchottky障壁を越える化学的に誘起されるホットエレクトロン電流の研究から,固体界面における化学エネルギーの散逸に含まれる基本的な電荷移動プロセスに関する直接的な機構を理解することができる。本稿では,Schottky構造のカソードナノ構造を,その場抵抗加熱することによって発生する全電流に寄与するホットエレクトロン電流と熱電流を分離するための系統的な方法を記述する。この方法は,高圧下のガス相において適用できる。Pt/n-GaPから成るナノ構造上におけるH₂OのH₂酸化によって誘起される電流の解析を,453~513Kの表面温度域で,15TorrのH₂を含む120Torrの酸水素混合環境下で行った。全電流成分は温度の上昇に伴って単調に増加するが,ホットエレクトロン電流の相対的な割合は温度の上昇に伴って,85%から52%に減少することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *リン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *白金 ,  *ナノ構造 ,  *酸化 ,  *ホットエレクトロン ,  *電流 ,  電荷移動 ,  界面 ,  抵抗加熱 ,  熱電流 ,  分離 ,  高圧気体
準シソーラス用語： 水素酸化

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 抵抗加熱 ,  Pt ,  GAP ,  ナノ構造 ,  水素 ,  酸化 ,  誘起 ,  ホットエレクトロン