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J-GLOBAL ID：201302214050442491   整理番号：13A1324438

捩じれた二層グラフェンに光学伝導率

Optical conductivity of twisted bilayer graphene

著者 (2件)： TABERT C. J. (Univ. Guelph, Ontario, CAN) ,  NICOL E. J. (Univ. Guelph, Ontario, CAN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 12  ページ： 121402.1-121402.5  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンをデバイスとして応用するためには,電荷ドーピングを行ってバンド構造を調節し,Fermi準位を変化させることが重要である。ここでは,捩じれた二層グラフェンの有限周波数における光学伝導率を計算によって求めた。二つのグラフェン層において,一つの層がもう一つの層に対して捩じれている場合についてのBrillouin帯の様子を図にして示した。バンド構造中の分裂したDiracコーンの間の鞍点は状態密度におけるvan Hove特異点に起因し,走査型トンネル顕微鏡によって文献中で観察されたものである。もし捩じれた二層グラフェンバンド構造における低エネルギーの鞍点を化学ポテンシャルが超えるほどドーピングが十分であると,ホッピングエネルギーに関係するエネルギーにおいて強い低周波の吸収が現れる。

シソーラス用語： ねじり ,  *炭素材 ,  *光学定数 ,  ドーピング ,  *バンド構造 ,  Fermi準位 ,  Brillouin帯 ,  鞍点 ,  状態密度 ,  特異点 ,  化学ポテンシャル
準シソーラス用語： Diracコーン ,  van Hove特異点 ,  ホッピングエネルギー ,  *二層グラフェン ,  *光学伝導率 ,  電荷ドーピング

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 捩じれ ,  二層グラフェン ,  光学伝導率