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J-GLOBAL ID：201302214087162863   整理番号：13A1478593

超小型シリコンオンインシュレータマイクロリング共振器ノッチフィルタの特徴解析

Characteristic analysis of ultra-small silicon-on-insulator micro-ring resonator notch filter

著者 (5件)： Wang Wei (Coll. of Electronics Engineering, Chongqing Univ. of Posts and Telecommunications, Chongqing) ,  Yang Lijun (Coll. of Electronics Engineering, Chongqing Univ. of Posts and Telecommunications, Chongqing) ,  Yang Keng (Coll. of Electronics Engineering, Chongqing Univ. of Posts and Telecommunications, Chongqing) ,  Zhang Aihua (Coll. of Electronics Engineering, Chongqing Univ. of Posts and Telecommunications, Chongqing) ,  Xie Yuting (Coll. of Electronics Engineering, Chongqing Univ. of Posts and Telecommunications, Chongqing)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 41  号： 12  ページ： 3298-3304  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SOIに基づいて極薄シリコンオンインシュレータマイクロリング共振器ノッチフィルタを設計した。それは,集積が容易で,出力ポートでノッチを実現した。全透過型SOIマイクロリング共振器構造の透過特性を解析し,導波路の間の結合強度が十分に大きく,ノッチ特性が良好であることを示した。半径の同じ全透過型マイクロリング共振器構造では,結合係数が主に三つのパラメータ(結合領域の導波路の幅,間隔および長さ)と関係した。ノッチフィルタの出力スペクトル応答に及ぼす三つのパラメータの効果を検討した。実験結果から,ノッチフィルタが臨界結合条件(r=α)に接近するほど,消光比が高くなることが判明した。消光比が36dBである場合,FSRは約72nmであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *リング共振器 ,  絶縁材料 ,  *ノッチフィルタ ,  *ケイ素 ,  結合係数 ,  付着強さ ,  小型 ,  *半導体プロセス ,  *光学フィルタ ,  消光比 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *シリコンオンインシュレータ ,  スペクトル応答 ,  *マイクロリング共振器 ,  結合強度 ,  超小型

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンオンインシュレータ ,  マイクロリング共振器 ,  ノッチフィルタ ,  特徴解析