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J-GLOBAL ID：201302214129935906   整理番号：13A1222901

FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析

Study on Near-interface Structures of Thermal Oxides Grown on 4H-SiC Characterized by Infrared Spectroscopy

著者 (3件)： 喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科) ,  喜多浩之 (JST-さきがけ) ,  平井悠久 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 87(SDM2013 44-64)  ページ： 97-100  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC上に熱酸化膜を成長させるとき,界面のごく近傍ではSiCの影響を受けてSiO₂の構造や化学状態の変化を生じたものが成長することが予想される。赤外分光測定は,これらのSiO₂の微視的構造変化に敏感なツールである。本研究では熱酸化膜をフッ酸溶液中でエッチングを繰り返し行って段階的に薄膜化しながら赤外分光測定を行うことで膜厚依存性を評価した。その結果,SiCとの界面近傍の~数nm程度の領域では圧縮応力で変形した構造または化学的変化に起因すると思われるピークシフトが明確に観察された。さらにこのピークシフトをSi面とC面で比較したところ,C面の方がシフトが大きく観察されるという明確な違いが見出された。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  *熱酸化 ,  *赤外分光分析 ,  表面構造 ,  界面 ,  依存性 ,  膜厚 ,  圧縮応力 ,  MOSFET
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  界面構造 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： FTIR-ATR ,  スペクトル ,  4H-SiC ,  熱酸化膜 ,  界面構造 ,  解析