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J-GLOBAL ID：201302214991031493   整理番号：13A0234674

ガラス基板上に作製したZnGa₂O₄:Dy³⁺薄膜素子のエレクトロルミネセンス特性

Electroluminescent characteristics of ZnGa₂O₄:Dy³⁺ thin film devices fabricated on glass substrates

著者 (5件)： KRISHNA K.Mini (Cochin Univ. Sci. and Technol., Kochi, IND) ,  KRISHNA K.Mini (Vimala Coll., Kerala, IND) ,  ANOOP G. (Cochin Univ. Sci. and Technol., Kochi, IND) ,  ANOOP G. (Chung Ang Univ., Seoul, KOR) ,  JAYARAJ M.K. (Cochin Univ. Sci. and Technol., Kochi, IND)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 12  ページ： 2641-2645  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnGa₂O₄:Dy³⁺を活性発光層に用いて,低温ガラス基板上に白色光発生交流駆動薄膜エレクトロルミネセンス(EL)素子を作製した。蛍光体層と上部誘電体層はマグネトロンスパッタリングにより形成した。非対称二重絶縁構造を持つ素子に1.5kHzの電圧パルスを印加すると白色ELを発光した。この発光はドーパントイオンの特徴である多色遷移の同時生起に起因した。印加電圧への発光の指数的依存性は輝度-電圧曲線から明白であった。ZnO界面層を持つ素子も作製した。

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *半導体素子 ,  基板 ,  *白色光 ,  蛍光体 ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  ドーパント ,  ドーピング ,  ジスプロシウム ,  ガリウム化合物 ,  酸化物 ,  亜鉛化合物 ,  *半導体材料 ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： *EL素子 ,  ガラス基板

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： ガラス基板 ,  作製 ,  薄膜素子 ,  エレクトロルミネセンス