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J-GLOBAL ID：201302215161391990   整理番号：13A1261133

ガスソースMBE成長のInP基板上の格子整合四元ひ化アルミニウムガリウムインジウムの特性

Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE

著者 (7件)： Wang Kai (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Gu Yi (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Fang Xiang (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Zhou Li (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Li Cheng (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Li Haosibaiyin (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...) ,  Zhang Yonggang (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol.,Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. of Functional ...)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 31  号： 5  ページ： 385-388,398  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気体源MBE成長法で調製された四元ひ化アルミニウムガリウムインジウム合金の特性を研究した。高分解能X線回折ロッキングカーブ,光ルミネセンス,Hall測定を利用した。X線ロッキングカーブから,全サンプルがキャリブレーションデータに従いInP基板と良く整合することを示した。また,光ルミネセンスとHall測定から,Alを増大すると,PL強度,電子濃度,移動度が増大することが分かった。光ルミネセンスとX線回折測定からIII族の組成を決定した。これは設計値と良く一致した。Al組成設計値と計測値との関係は,精密な組成制御のための実用的な方法の基礎となる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  キャリブレーション ,  ロッキングカーブ ,  *MBE成長 ,  *光ルミネセンス ,  X線回折 ,  格子整合 ,  リン化インジウム ,  多成分系 ,  *半導体薄膜 ,  Hall移動度 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *ガスソースMBE ,  *ヒ化アルミニウムガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガスソースMBE ,  成長 ,  InP ,  格子整合 ,  ひ化アルミニウムガリウムインジウム