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J-GLOBAL ID：201302215891551976   整理番号：13A1389690

200nm CMOSファブにおけるGaNオンSi HEMTs製造の課題

Manufacturing Challenges of GaN-on-Si HEMTs in a 200mm CMOS Fab

著者 (7件)： MARCON D. (imec, Leuven, BEL) ,  DE JAEGER B. (imec, Leuven, BEL) ,  HALDER S. (imec, Leuven, BEL) ,  VRANCKX N. (imec, Leuven, BEL) ,  MANNAERT G. (imec, Leuven, BEL) ,  VAN HOVE M. (imec, Leuven, BEL) ,  DECOUTERE S. (imec, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 26  号： 3  ページ： 361-367  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  汚染 ,  不純物 ,  洗浄 ,  半導体プロセス ,  化合物半導体
準シソーラス用語： GaN ,  コンタミネーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  ファブ ,  GaN ,  Si