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J-GLOBAL ID：201302216029668784   整理番号：13A1648691

22nm3ゲートCMOSにおける高密度MIMキャパシタによる0.451V完全集積化再構成可能スイッチとキャパシタステップダウンDC-DCコンバータ

A 0.45-1V Fully Integrated Reconfigurable Switched Capacitor Step-Down DC-DC Converter with High Density MIM Capacitor in 22nm Tri-Gate CMOS

著者 (7件)： JAIN Rinkle (Intel Corp., OR, USA) ,  GEUSKENS Bibiche (Intel Corp., OR, USA) ,  KHELLAH Muhammad (Intel Corp., OR, USA) ,  KIM Stephen (Intel Corp., OR, USA) ,  KULKARNI Jaydeep (Intel Corp., OR, USA) ,  TSCHANZ Jim (Intel Corp., OR, USA) ,  DE Vivek (Intel Corp., OR, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2013  ページ： 145-146  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *SC回路 ,  *DC-DCコンバータ ,  *薄膜コンデンサ ,  *MIM構造 ,  *CMOS構造 ,  電圧制御 ,  電流密度 ,  スケーリング【計数】 ,  周波数制御 ,  消費電力 ,  省エネルギー ,  超LSI
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  SCVR ,  DVFS ,  SOC【IC】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  CMOS ,  MIMキャパシタ ,  集積化 ,  再構成可能 ,  コンバータ