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J-GLOBAL ID:201302216667378645   整理番号:13A0864910

二次完全ホイスラー相の封入による半ホイスラーTiNiSnの熱電特性の改善 TiNi1+xSnのマイクロ波調製とスパークプラズマ焼結

Improving the thermoelectric properties of half-Heusler TiNiSn through inclusion of a second full-Heusler phase: microwave preparation and spark plasma sintering of TiNi1+xSn
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巻: 15  号: 18  ページ: 6990-6997  発行年: 2013年05月14日 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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二次TiNi2Sn完全ホイスラー相の封入により,TiNiSnの性能指数を増加させる直接的な方法を示した。重い元素のドーピングによる方法等とは対照的に,少量の過剰Niを化合物に加えるだけである。市販のマイクロ波オーブンとスパークプラズマ焼結装置を用いて,エネルギー効率と時間効率の良い方法で材料を調製した。スパークプラズマ焼結で,材料は固化し,追加相の量を減少させて合成を活性化させる。シンクロトロン粉末X線回折とマイクロプローブにより半ホイスラーマトリックス内の完全ホイスラー相の存在を確認した。総熱伝導率はxの増加とともに減少し,それをミクロンサイズ完全ホイスラー相封入の増加に帰した。不規則微視構造によりフォノンが効率よく散乱し,性能指数は35%増加した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物一般及び元素  ,  熱電デバイス  ,  金属の比熱・熱伝導 

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