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J-GLOBAL ID：201302216826895150   整理番号：13A0048020

過剰な酸化物イオンを有するアパタイト型ケイ酸ランタンのc軸に沿った結晶構造と酸化物イオン伝導性

Crystal Structure and Oxide-Ion Conductivity along c-Axis of Apatite-Type Lanthanum Silicate with Excess Oxide Ions

著者 (9件)： FUKUDA Koichiro (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ASAKA Toru (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  OYABU Masayuki (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  URUSHIHARA Daisuke (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  BERGHOUT Abid (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  BECHADE Emilie (Univ. de Limoges, Limoges, FRA) ,  MASSON Olivier (Univ. de Limoges, Limoges, FRA) ,  JULIEN Isabelle (Univ. de Limoges, Limoges, FRA) ,  THOMAS Philippe (Univ. de Limoges, Limoges, FRA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 23  ページ： 4623-4631  発行年： 2012年12月11日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サンドイッチ型のLa₂SiO₅/La₂Si₂O₇/La₂SiO₅拡散対の等温加熱により,アパタイト型のLa_9.50Si₆O_26.25の高いc軸配向多結晶材料を調製することに成功した。得られた材料のc軸に沿った酸化物イオン伝導度は,723Kでの2.0×10^-2S/cmと1073Kでの7.9×10^-2S/cmの範囲であった。また導電率は,格子間酸化物イオンを含まないLa_9.33Si₆O₂₆のc軸配向アパタイト多結晶よりも,723から973Kで約2.5倍高かった。これらの2つの材料の伝導性活性化エネルギーは同一であるため,伝導性メカニズムも同じと考えられた。La_9.50Si₆O_26.25の高い導電性は,格子間酸化物イオンの存在および/またはチャネル酸化物イオンの位置無秩序を意味した。

シソーラス用語： *導体 ,  *イオン伝導 ,  *ケイ素酸素酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *結晶構造 ,  多結晶 ,  サンドイッチ構造 ,  拡散対 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： イオン伝導率 ,  *酸化物イオン伝導体

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物イオン ,  アパタイト ,  ケイ酸ランタン ,  C軸 ,  結晶構造