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J-GLOBAL ID：201302216875161692   整理番号：13A0030786

遠隔プラズマ原子層蒸着を用いて作成したLa₂O₃ゲート絶縁体のフラットバンド電圧シフトにおよぼすSiO₂バッファ層の影響

Effects of a SiO₂ Buffer Layer on the Flatband Voltage Shift of La₂O₃ Gate Dielectric Grown by Using Remote Plasma Atomic Layer Deposition

著者 (4件)： LEE Hyerin (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Hyungchul (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jaesang (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  JEON Hyeongtag (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 61  号： 7  ページ： 1051-1055  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  二酸化ケイ素 ,  バッファ層 ,  *電圧 ,  酸化膜 ,  プラズマCVD ,  *酸化ランタン ,  RTA【熱処理】 ,  X線光電子分光法 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  誘電体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 原子層蒸着 ,  *フラットバンド電圧 ,  ゲート絶縁体 ,  プラズマ蒸着 ,  RTA処理 ,  高k誘電体

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  原子層蒸着 ,  La2O3 ,  ゲート絶縁体 ,  フラットバンド電圧 ,  シフト ,  SiO2 ,  バッファ層