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J-GLOBAL ID：201302216996912709   整理番号：13A0830974

堆積した薄膜の光学的及び電気的性質への高温焼結したAlドープZnOスパッタリングターゲットのZnAl₂O₄偏析による影響

Effects of ZnAl₂O₄ segregation in high temperature sintered Al-doped ZnO sputtering target on optical and electrical properties of deposited thin films

著者 (6件)： WEI Tiefeng (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, No. 519 Zhuangshi Road, Zhenhai ...) ,  ZHANG Yulong (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, No. 519 Zhuangshi Road, Zhenhai ...) ,  YANG Ye (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, No. 519 Zhuangshi Road, Zhenhai ...) ,  TAN Ruiqin (School of Information Sci. and Engineering, Ningbo Univ., No. 818 Fenghua Road, Jiangbei District, Ningbo, 315211, CHN) ,  CUI Ping (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, No. 519 Zhuangshi Road, Zhenhai ...) ,  SONG Weijie (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, No. 519 Zhuangshi Road, Zhenhai ...)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 221  ページ： 201-206  発行年： 2013年04月25日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： あるみお本研究では,堆積した膜の光学的及び電気的性質へのターゲット中のZnAl₂O₄偏析による影響を理解するため,高温焼結したスパッタリングターゲットからいくつかのAlドープZnO薄膜を順次堆積させた。AlをドープしたZnO膜は良く(002)配向し,2θは34.25から34.38°へ増加し,それは5.232Åから5.212Åへの格子収縮に相当した。透過スペクトルから求めたAlドープZnO薄膜の対応するバンドギャップは3.47eVから3.54eVへ増加し,抵抗は3.7×10^-3Ωcmから1.3×10^-3Ωcmへ減少した。これらの変化は高温焼結過程でZnAl₂O₄の表面偏析によりAl濃度がターゲットの研磨表面からターゲットの内側へ増加することによる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *蒸着膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム ,  ドーピング ,  *ターゲット ,  *焼結体 ,  *アルミン酸塩 ,  *亜鉛化合物 ,  *偏析 ,  配向 ,  結晶方位 ,  結晶格子 ,  収縮 ,  スペクトル ,  光学ギャップ ,  電気抵抗率 ,  基板 ,  石英ガラス ,  アルミナ ,  焼結 ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *アルミン酸亜鉛 ,  *ガラス基板 ,  *ケイ素基板 ,  透過スペクトル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 堆積 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質 ,  焼結 ,  AlドープZnO ,  スパッタリングターゲット ,  偏析