単一層MoS<sub>2</sub>  三方晶系ワ-ピング,Γバレーおよびスピン-軌道結合効果

KORMANYOS Andor; ZOLYOMI Viktor; DRUMMOND Neil D.; RAKYTA Peter; RAKYTA Peter; BURKARD Guido; FAL’KO Vladimir I.

文献

J-GLOBAL ID：201302217149525924 整理番号：13A1449336

単一層MoS₂ 三方晶系ワ-ピング,Γバレーおよびスピン-軌道結合効果

Monolayer MoS₂: Trigonal warping, the Γ valley, and spin-orbit coupling effects

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資料名：
巻： 88 号： 4 ページ： 045416.1-045416.8 発行年： 2013年07月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

近年,固体素子材料として大きい関心を集めている遷移金属二カルコゲン化物単一層に関する理論研究の一環として,本研究では,単一層MoS₂について,ab initio法計算とk・p理論ベースアプローチとを組合わせて,Brillouin帯K点での低エネルギー有効ハミルトニアンを導出した。その結果は,価電子および伝導電子両バンドの三方晶系ワーピング,Γバレーおよびスピン-軌道結合効果,電子正孔対称性の破れ,ならびに伝導バンドのスピン分裂について,第一原理計算が示す特徴を示した。これらの特徴は,Xiaoら[Phys.Rev.Lett.Vol.108,196802(2012)]の理論では説明できないことを指摘した。

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表面の電子構造

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単一層MoS2 三方晶系ワ-ピング,Γバレーおよびスピン-軌道結合効果

単一層MoS₂ 三方晶系ワ-ピング,Γバレーおよびスピン-軌道結合効果