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J-GLOBAL ID：201302217157846276   整理番号：13A0325310

スパッタ法によるZnO薄膜の合成とそのバイオセンサーへの応用

著者 (2件)： 六倉信喜 (東京電機大) ,  篠田宏之 (東京電機大)
資料名： 東京電機大学フロンティア共同研究センター研究成果報告書
巻： 2011  ページ： 21-22  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： L8309A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング法によりAl₂O₃基板上に成長させたGaドープZnO層のアニール処理について検討を行った。大気雰囲気中におけるアニール処理により,電子密度は1.4×10¹⁷から2.8×10¹⁹cm^-3の範囲で大きく変化することが解った。

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  アルミナ ,  *ドーピング ,  ガリウム ,  *熱処理 ,  *電子密度 ,  *バイオセンサ
準シソーラス用語： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  大気雰囲気

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ法 ,  ZnO薄膜 ,  バイオセンサー ,  応用