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J-GLOBAL ID：201302217271139059   整理番号：13A0495243

極低温磁場下での絶縁性NbSi非晶質固溶体における負性磁気抵抗挙動と可変範囲ホッピング伝導

Negative magnetoresistance behaviour and variable range hopping conduciton in insulating NbSi amorphous alloys at very low temperature with magnetic field

著者 (6件)： SYBOUS Abdelghani (Univ. Ibn Zohr, Agadir, MAR) ,  EL KAAOUACHI Abdelhamid (Univ. Ibn Zohr, Agadir, MAR) ,  NARJIS Abdelfattah (Univ. Ibn Zohr, Agadir, MAR) ,  LIMOUNY Lhoussine (Univ. Ibn Zohr, Agadir, MAR) ,  DLIMI Said (Univ. Ibn Zohr, Agadir, MAR) ,  BISKUPSKI Gerard (Univ. Sci. et Technol. LilleI, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8459  ページ： 84590X.1-84590X.15  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気抵抗(MR)の負の部分だけを考えるために,いくつかの理論模型を用いて,4.2-20Kの温度範囲で,2.5Tまでの磁場内での絶縁性a-NbSi試料の負性のMRの試験的な解析を行った。Bishopらは,88.7%Si原子濃度でのこのa-NbSi系において金属-絶縁体転移(MIT)を得た。著者らの試料は,MITの絶縁体側に位置し,Nb₁₁Si₈₉をレファレンスとした。可変範囲ホッピング(VRH)伝導がこの試料で,観測され,磁場に対するすべての伝導率データは,σ=σ₀exp[-(T₀/T)^p]によって与えられるVRH則に従った。ここでp=(ν+1)/(ν+4),ν=0のとき,状態密度(DOS)は,一定でありp=0.25であり,MottVRH体制のときp=0.25に相当した。しかし,ν=2のときDOSは,Fermi準位の近くで変化した。

シソーラス用語： *固溶体 ,  *ホッピング伝導 ,  *磁気抵抗 ,  温度依存性 ,  磁場効果 ,  *金属-絶縁体転移 ,  状態密度 ,  極低温 ,  *非晶質 ,  ニッケル ,  ケイ素

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 極低温 ,  磁場 ,  絶縁性 ,  非晶質 ,  固溶体 ,  負性磁気抵抗 ,  挙動 ,  可変 ,  ホッピング伝導