抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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InGa合金は半導体セラミックス等の低接触抵抗率のオーミックコンタクトとして使われている。本研究では,InGa合金が実際にオーミックコンタクトとして機能しているか調べるために,InGa/4H-SiCの電気的特性を評価した。本研究の結果,InGaは4H-SiCに対してオーミックコンタクト性を示さないことが分かった。これまでの研究においてはオーミック性があるものとして障壁高さを測定してきたが,これは間違いであることが分かった。ただし,以前の結果は定性的には問題ないと考える。これは4H-SiC(000-1)C面には一貫してInGa塗布を行っていたので,試料同士の比較においてはその大小関係に変化は無いからである。