文献

J-GLOBAL ID：201302217498563418   整理番号：13A0695918

電気的特性によるInGa/4H-SiC接触界面に関する研究

著者 (4件)： 進藤怜史 (秋田工高専) ,  佐久間涼 (秋田工高専) ,  宇瀬尚平 (秋田工高専) ,  浅野清光 (秋田工高専)
資料名： 秋田工業高等専門学校研究紀要  (Research Reports of Akita National College of Technology)
号： 48  ページ： 15-19  発行年： 2013年02月28日 
JST資料番号： S0960A  ISSN： 0285-5364  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InGa合金は半導体セラミックス等の低接触抵抗率のオーミックコンタクトとして使われている。本研究では,InGa合金が実際にオーミックコンタクトとして機能しているか調べるために,InGa/4H-SiCの電気的特性を評価した。本研究の結果,InGaは4H-SiCに対してオーミックコンタクト性を示さないことが分かった。これまでの研究においてはオーミック性があるものとして障壁高さを測定してきたが,これは間違いであることが分かった。ただし,以前の結果は定性的には問題ないと考える。これは4H-SiC(000-1)C面には一貫してInGa塗布を行っていたので,試料同士の比較においてはその大小関係に変化は無いからである。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  界面 ,  接触 ,  接触抵抗 ,  *Ohm接触 ,  高さ
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  オーミックコンタクト ,  障壁高さ ,  接触界面

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気的特性 ,  Inga ,  4H-SiC ,  接触界面 ,  研究