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J-GLOBAL ID:201302217510985951   整理番号:13A0021188

Siナノ構造薄膜の作製とその光学特性

著者 (3件):
資料名:
号: 16  ページ: 10-11  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: L6814A  資料種別: 年次報告 (Y)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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シリコン半導体やGaP,ZnOなどの化合物半導体からなるナノ構造の表面物性,あるいはバルク物性を調べ,その制御・評価技術を確立することを目的として,ここでは,シリコンナノワイヤ(NW)の作成を試みた。研究結果から,シリコンNW形成のための最適条件を決定し,さらに,蛍光特性やNWアレイ表面の撥水性についても調べた。また,フッ化物系蛍光体の作成,および,GaN粒子を含むランダムレーザを開発し,その光学的特性を調べた。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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