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J-GLOBAL ID：201302218124689902   整理番号：13A0062915

コリメータスパッタによる傾斜異方性膜の作製

Deposition of inclined magnetic anisotropy film by collimated sputtering

著者 (3件)： 本多章人 (東北工大 工) ,  本多直樹 (秋田県産技セ) ,  有明順 (秋田県産技セ)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 36  号： 55(MMS2012 20-23)  ページ： 37-41  発行年： 2012年12月06日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 斜方入射コリメータスパッタ堆積を用いてビットパターン媒体用傾斜磁気異方性膜の作製を検討した。アニール処理したTa/Pt/Ru下地膜上に形成した膜厚10nmのCo-Pt₂₀層において磁気異方性軸が10°程傾いていると見積もられた。この傾きは,膜の結晶配向の傾きとほぼ一致した。この膜の異方性磁界は,実測のヒステリシスループとシミュレーションによるループの印加磁界角度依存性とを比較することで12kOe程と見積もられた。この異方性磁界と飽和磁化より傾斜異方性膜の磁気異方性エネルギー密度は6・10⁶erg/cm³と見積もられた。斜方入射コリメータスパッタリングは高い異方性を持った傾斜異方性記録メディアの作製に有効であることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタリング ,  *薄膜成長 ,  薄膜 ,  磁気異方性 ,  傾斜 ,  配向 ,  シミュレーション ,  異方性磁場 ,  エネルギー密度 ,  評価試験 ,  アニーリング【現象】 ,  異方性
準シソーラス用語： *コリメータスパッタリング ,  異方性磁界 ,  磁気異方性膜 ,  配向傾斜 ,  傾斜異方性

分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 異方性 ,  作製