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J-GLOBAL ID：201302218360768023   整理番号：13A1242368

p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)Nヘテロ接合における二次元正孔ガスとOhm性接触に及ぼすその影響

Two-dimensional hole gas in p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N heterojunctions and its influence on Ohmic contact

著者 (4件)： Wang XiaoYong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Nano-Optoelectronics Lab., Beijing) ,  Chong Ming (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Nano-Optoelectronics Lab., Beijing) ,  Zhao DeGang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. of Integrated Optoelectronics, Beijing) ,  Su YanMei (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Nano-Optoelectronics Lab., Beijing)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 21  ページ： 217302-1-217302-6  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)Nヘテロ接合における二次元正孔ガス(2DHG)の特性を一次元PoissonとSchroedinger方程式の自己無憧着解法に基づいて詳細に調査した。価電子帯構造と2DHG分布は異なったAlコンポーネントと圧電偏波効果のケースで算出する。そして,2DHGに及ぼすAlコンポーネントと圧電分極効果の影響を具体的に分析した。Alコンポーネントの増加で,ヘテロ接合界面における量子井戸がより深くより狭くなって,2DHGピーク密度の加速的成長と2DHGシート濃度の線増加につながると結果は示した。その上,圧電偏波効果でヘテロ接合界面の量子井戸はより深くより狭くなる。同時に,Fermi準位は障壁のトップの近くで移動して,ピーク濃度の位置はヘテロ接合界面の近くで移動する。さらに,2DHGに及ぼす価電子帯オフセットと受容体ドーピング濃度の影響は比較的小さい。p-Al_xGa_(1-x)NのOhm性接触を2DHGで製作して,I-Vの特性は2DHGのないそれよりはるかに良く,2DHGが有意にp-Al_xGa_(1-x)N Ohm接触の性能を改善できることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *二次元電子ガス ,  Ohm接触 ,  ヘテロ接合 ,  Schroedinger方程式 ,  成分 ,  Fermi準位 ,  バンド構造 ,  オフセット ,  価電子バンド ,  界面 ,  接合部 ,  量子井戸
準シソーラス用語： コンポーネント ,  価電子帯 ,  接合界面 ,  電子帯構造 ,  *二次元正孔ガス ,  Ohm性接触

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ヘテロ接合 ,  二次元正孔ガス ,  Ohm性接触