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J-GLOBAL ID：201302218392149074   整理番号：13A1111175

GaドーピングによるZnOナノ構造の可視光放出の抑制

Suppression of visible light emission of ZnO nanostructures by Ga-doping

著者 (6件)： Shen Qinghe (Dep. of Physics Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  GaoZhiWei (Dep. of Physics Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Ding Huaiyi (Dep. of Physics Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Zhang Guanghui (Dep. of Physics Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Pan Nan (Hefei National Lab. for Physical Sciences at the Microscale Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Wang Xiaoping (Dep. of Physics Univ. of Sci. and Technol. of China,Hefei National Lab. for Physical Sciences, Hefei)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 16  ページ： 167105-1-167105-6  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 炭素熱還元反応と元の位置ドーピング法を使用することによって,様々なドーピング濃度を持つGaドープZnOナノ構造を調製する。X線回折測定はGaドープZnOナノ構造に存在するウルツ鉱型構造だけを明らかにした。走査電子顕微鏡観察は,Gaドーピング濃度の増加で,ZnOナノ構造のモルフォロジーが徐々にナノロッドからナノコーンに変わることを示した。光ルミネセンスから,著者らは,ZnOナノ構造の可視光放出が明らかに抑圧できて,Gaドーピング濃度の増加で消えさえすると発見した。そのうえ,可視光放出の抑制は挙動と十分相関して,X線光電子分光法測定はZnOナノ構造における空格子点酸素がGaドーピング濃度の増加で大幅に減少することを明らかにした。この結果はZnOナノ構造の可視光放出が酸素空格子点欠陥によって引き起こされるという機構の新しい有力な証拠を提供する。また,この研究は,ZnOナノ構造へのわずかなGa取込が効果的に酸素空格子点欠陥発生を減らすことができることを実証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ドーピング ,  ナノ構造 ,  可視光 ,  発光 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子分光法 ,  酸化亜鉛 ,  モルフォロジー ,  ウルツ鉱型結晶 ,  空格子点 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： ZnO ,  ウルツ鉱型構造 ,  光放出 ,  酸素空格子点 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ga ,  ドーピング ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  可視光 ,  放出