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J-GLOBAL ID：201302218965919171   整理番号：13A0506203

シリコン基板とダイヤモンド基板上のZnOフィルムの堆積に関する技術研究

Technique Study on the Deposition of Zno Film on Silicon Substrate and Diamond Substrate

著者 (4件)： Chen Yinghui (Inst. of Electronic Engineering,China Acad. of Engineering Physics, Sichuan, Mianyang) ,  Gao Yang (Inst. of Electronic Engineering,China Acad. of Engineering Physics, Sichuan, Mianyang) ,  Xi Shiwei (Inst. of Electronic Engineering,China Acad. of Engineering Physics, Sichuan, Mianyang) ,  Zhao Xinghai (Inst. of Electronic Engineering,China Acad. of Engineering Physics, Sichuan, Mianyang)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 25  号： 1  ページ： 25-28  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)フィルムをSi(001)基板とダイヤモンド基板に,高周波(RF)反応マグネトロンスパッタ法で堆積する。ZnOフィルムの構造物上のシリコン基板とダイヤモンド基板の影響を研究する。また,Ar/O_2の比率と焼きなまし温度の効果を分析する。フィルムの結晶構造を,X線回折(XRD)と原子間力顕微鏡法(AFM)によって,特徴付けする。結果は以下を示す。(1)ダイヤモンド上のフィルムの表面モホロジーはシリコン基板に勝る;(2)同じ基板上に,ZnOフィルムの結晶配向がAr/O_2ガス比に直接比例している;(3)シリコン基板に関して,適切な焼きなまし温度は,ZnOフィルムの結晶配向を向上するのに役立っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ダイヤモンド ,  *透明導電膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  X線回折 ,  顕微鏡観察 ,  焼なまし ,  結晶構造
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *ZnOフィルム ,  マグネトロンスパッタ ,  原子間力顕微鏡法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  ダイヤモンド基板 ,  ZnOフィルム ,  堆積 ,  研究