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J-GLOBAL ID：201302219175893390   整理番号：13A1220669

グラフェン接触のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの電気特性に対するグラフェン厚の効果

Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon nanotube field effect transistors with graphene contacts

著者 (3件)： TAMAOKI Masato (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 3  ページ： 033120-033120-3  発行年： 2013年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  層厚 ,  *カーボンナノチューブ ,  電流 ,  相互コンダクタンス ,  *接触抵抗 ,  電流電圧特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  電気特性 ,  厚