ヘテロエピタキシャル成長のキネティックモンテカルロシミュレーション:ぬれ層,量子ドット,キャッピング,及びナノリング

SCHULZE T. P.; SMEREKA P.

文献

J-GLOBAL ID：201302219201407628 整理番号：13A0349866

ヘテロエピタキシャル成長のキネティックモンテカルロシミュレーション:ぬれ層,量子ドット,キャッピング,及びナノリング

Kinetic Monte Carlo simulation of heteroepitaxial growth: Wetting layers, quantum dots, capping, and nanorings

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資料名：
巻： 86 号： 23 ページ： 235313.1-235313.15 発行年： 2012年12月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ヘテロエピタキシャル成長のシミュレーションに関して,計算時間を大きく改善するアプローチを述べた。このシミュレーションは,以前のものより15~20倍速かった。重要な点は,これが,三次元における物理関連パラメータ領域へのアクセスを可能にすることであった。この新しいアプローチは,歪ヘテロエピタキシャル成長において起こる長さスケールの自然な分離を利用していた。とくに,弱結合原子が,膜及び関係弾性場から切り離される表面分解定式を利用した。検証は,忠実度の損失がほとんど無いことを示した。

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薄膜一般

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