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J-GLOBAL ID：201302219877411377   整理番号：13A0508512

ダイオード側面をポンプされた薄いディスクレーザーのポンプ性能の数値シミュレーション

Numerical simulation of pumping performance of diode side pumped thin disk laser

著者 (5件)： Guo Weirong (Inst. of Laser Engineering,Beijing University of Technol., Beijing) ,  Li Qiang (Inst. of Laser Engineering,Beijing University of Technol., Beijing) ,  Feng Chi (Inst. of Laser Engineering,Beijing University of Technol., Beijing) ,  Yan Lelun (Inst. of Laser Engineering,Beijing University of Technol., Beijing) ,  Wang Jinguo (Inst. of Laser Engineering,Beijing University of Technol., Beijing)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 41  号： 4  ページ： 906-912  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ダイオード側面をポンプされた薄いディスクレーザーの吸収ポンプ力密度分布の対称性を利用して,吸収ポンプ力密度分布の要点の評価を考慮した新規手法によって,ポンプ均一性を定量的に記述できる。ポンプ均一性と吸収効率の両方を考慮したポンプ性能指数を紹介した。ダイオード配列距離の特定範囲内でのポンプ性能指数,薄い円盤の半径及び吸収指数を比較した。計算の結果から,性能指数は,半径13mm,ダイオード配列距離37mm,吸収係数0.10mm-1の薄い円盤で最適化最小値0.1110に達する。最適化値に近い性能指数をパラメータを実験的に使用して得られた。暫定実験は熱効果に起因する薄い円盤の位相歪を計測した。計算した位相歪は実験的に測定した位相歪と合致する。ポンプ性能指数と本論分で発表した関連計算結果は,ダイオード側面をポンプされた薄い合成円盤レーザ研究の理論的参照を示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *シミュレーション ,  固体レーザ ,  性能 ,  ダイオード ,  パラメータ ,  降着円盤 ,  吸収係数 ,  性能指数 ,  密度分布 ,  効率
準シソーラス用語： *数値シミュレーション ,  ディスクレーザ ,  ポンプ性能 ,  薄い円盤 ,  吸収効率

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイオード ,  ディスクレーザー ,  ポンプ性能 ,  数値シミュレーション