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J-GLOBAL ID:201302220171464654   整理番号:13A0826351

高出力発光ダイオードの熱管理

The thermal management of high power light emitting diodes
著者 (3件):
資料名:
巻: 8497  ページ: 84971F.1-84971F.6  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高出力発光ダイオードの熱特性を改善するために,AlNセラミック薄膜を基板上に作製し,その特性・効果を調べた。AlN薄膜はアルミニウム合金板に真空スパッタリングにより堆積された。生成膜のX線回折パターンはセラミック相が基板にうまく成長したことを示し,原子間力顕微鏡像は薄膜の多孔性構造を示した。AlN薄膜の熱特性を調べるため,LED動作中のAlN薄膜の温度の時間変化を測定し,プリント回路ボード(PCB)と比較した。PCBでは温度が150°Cまで上昇して熱を適切に放出できないが,AlN薄膜では温度は約70°Cに制限され,熱伝達及び熱散逸が効果的に達成されていることが分かった。また,この熱散逸は膜材料のみならず散逸面積にも大きく依存することが示された。
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分類 (1件):
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発光素子 
タイトルに関連する用語 (3件):
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