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J-GLOBAL ID：201302220172817771   整理番号：13A1933030

Ge(100)表面に吸着したp-tert-ブチルカリックス[4]アレーン内部へのMgの包接

Mg Capping Inside p-Tert-butylcalix[4]arene Adsorbed on a Ge(100) Surface

著者 (3件)： SHIN Minjeong (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Myungjin (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Hangil (Sookmyung Women’s Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 44  ページ： 22903-22907  発行年： 2013年11月07日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge(100)表面に0.10MLのp-tert-ブチルカリックス[4]アレーン(p-TBCA)を蒸着した後,300K,2.5×10^-10Torrの条件でMgを0.05ML/minの速度で蒸着した。p-TBCAの空洞内へのMgの包接について,高分解能光電子スペクトル(HRPES)とDFT計算によって研究した。少量(約0.10ML)のMgの蒸着によって,p-TBCA分子内へのMg原子の包接が起こり,この包接はp-型ドーピングの性格を示した。さらにMgを蒸着するとGe(100)表面への直接的な結合が起こり,n-型ドーピングの性格が出現した。p-型ドーピングがGe(100)表面からp-TBCAの水酸基への電荷移動によって誘起され,n-型ドーピングがMgからGe(100)への電荷移動によると推定した。

シソーラス用語： *マグネシウム ,  *包接化合物 ,  *ゲルマニウム ,  *吸着 ,  光電子スペクトル ,  密度汎関数法 ,  電荷移動 ,  ドーピング ,  N型半導体 ,  蒸着

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  シクロファン,カテナン,ロタキサン,カリキサレン,ノット(三つ葉結び目)  (CF06120M)

物質索引 (1件)： p-tert-ブチルカリックス[4]アレーン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  吸着 ,  TERT ,  アレーン ,  Mg