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J-GLOBAL ID：201302220389312317   整理番号：13A1772676

ジセレン化バナジウムの極薄ナノシート:強磁性的電荷密度波挙動を示す金属的二次元物質

Ultrathin Nanosheets of Vanadium Diselenide: A Metallic Two-Dimensional Material with Ferromagnetic Charge-Density-Wave Behavior

著者 (8件)： XU Kun (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  CHEN Pengzuo (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  LI Xiuling (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  WU Changzheng (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  GUO Yuqiao (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  ZHAO Jiyin (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  WU Xiaojun (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  XIE Yi (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 52  号： 40  ページ： 10477-10481  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジセレン化バナジウム(VSe₂)は典型的な層状遷移金属カルコゲン化物である。水溶液中でのHCOOHによる共還元法を用いて合成した二次元層状化合物VSe₂結晶を液相剥離することにより,4~8層のSe-V-Se原子層からなるVSe₂の極薄ナノシートを作製した。このナノシート中において,電子は二次元バナジウム格子骨格に非局在化しており,きわめて高い電導度(1×10³Sm^-1)を示す金属様のナノシートであることが分かった。3d¹電子配置のこの極薄VSe₂ナノシートは室温で強磁性体的性質を示した。また,次元数の減少のため,この二次元極薄ナノシートの電荷密度波(CDW)の転移温度は135Kまで高くなることが分かった(バルクVSe₂では107K)。次世代二次元ナノデバイス,とくにスピントロニクスデバイス,への応用が期待される。

シソーラス用語： *バナジウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *ナノ構造 ,  *膜 ,  層間剥離 ,  磁気的性質 ,  *電荷密度波 ,  *強磁性 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： セレン化バナジウム

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： バナジウム ,  極 ,  ナノシート ,  強磁性 ,  電荷密度波 ,  挙動 ,  物質