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J-GLOBAL ID：201302220781441826   整理番号：13A1660453

252V/lux・s,16.7ミリオンフレーム/秒,312kピクセル背面照明超高速電荷結合デバイス

A 252-V/lux.s, 16.7-Million-Frames-Per-Second 312-kpixel Back-Side-Illuminated Ultrahigh-Speed Charge-Coupled Device

著者 (6件)： ARAI Toshiki (NHK Sci. & Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  YONAI Jun (NHK Sci. & Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  HAYASHIDA Tetsuya (NHK Sci. & Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  OHTAKE Hiroshi (NHK Sci. & Technol. Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  VAN KUIJK Harry (Teledyne DALSA Professional Imaging, Eindhoven, NLD) ,  ETOH Takeharu Goji (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 10  ページ： 3450-3458  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速イメージセンサでは高感度と高フレームレートが必要とされる。フレーム当たりの照明がフレームレート増加と共に減少するからである。センサの背面照明(BSI)構造で感度と最大フレームレートを改善出来る。感度が252V/lux・sで16.7Mfpsで動作する312kピクセルの背面照明超高速CCDを開発した。ピクセルのポテンシャルプロファイルを3D半導体デバイスシミュレータを使って設計した。高感度はフィルファクタと時間開口率が100%のユニットの結果である。感度は前面照明イメージセンサの12.7倍である。超高速シューティングはその場蓄積イメージセンサで可能となった。配線抵抗の軽減とイメージ領域を8ブロックに分割することで最大フレームレート16.7Mfpsが得られた。トータルピクセル数は横760縦411であり,バーストキャプチャ速度は5.2Tピクセル/sである。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  高感度 ,  *電荷結合素子 ,  伝送速度 ,  *素子構造 ,  画素 ,  電位分布 ,  シミュレータ ,  照明
準シソーラス用語： CCD【素子】 ,  デバイスシミュレータ ,  ピクセル ,  フレームレート

分類 (1件)： 電荷移送デバイス  (NC03130E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 秒 ,  ピクセル ,  背面 ,  照明 ,  超高速 ,  電荷結合デバイス