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J-GLOBAL ID：201302221032588418   整理番号：13A0022063

MOVPE成長条件下におけるInN(10-1-1)面の表面構造に関する理論検討

著者 (5件)： 屋山巴 (九大 大学院工学府) ,  寒川義裕 (九大 大学院工学府) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 大学院工学府) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 42nd  ページ： ROMBUNNO.10AC03  発行年： 2012年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： これまでに,InGaN薄膜におけるIn取り込み効率に対し,表面上のIn原子への窒素原子の吸着状態が影響を及ぼすことを報告した。すなわち,InGaNにおけるIn取り込み量は,成長温度付近における各面の表面再構成構造と密接な関わりがある。IhN(10-1-1)面は,実験的にInをよく取り込むとされるInN(10-11)面と逆の極性を持つため,極性によるIn取り込み量の違いを調べる上で重要な面方位であるが,その再構成表面構造は明らかにされていない。本研究では,InN(10-1-1)面の再構成構造について,水素雰囲気および有限温度条件を考慮した理論検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  MOCVD ,  *表面再構成 ,  表面構造 ,  水素 ,  Gibbs自由エネルギー ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物
準シソーラス用語： MOVPE ,  *第一原理計算 ,  *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOVPE ,  成長条件 ,  InN ,  表面構造 ,  理論